化学气相沉积 CVD
  • 简介

MPCVD-50简介

化学气相沉积CVD系统设计用于多种用途,例如,在粉末材料上进行碳涂层,用氨气掺杂氮气,合成层状物质(例如2DMoS2f膜),合成纳米碳材料(例如CNT和石墨烯)。

化学气相沉积 CVD
化学气相沉积 CVD

特征

  • 配备液体燃料(乙醇)的导入单元,以适应无法设置氢气的情况
  • 配备3-line质量流量气体控制器
  • 配备真空系统,可用于真空工艺
  • 紧凑而稳定,可以放在桌子上
  • 扩展性好,适用于各种CVD工艺

MPCVD-Powder简介

化学气相沉积CVD系统设计用于在粉末Si材料(通常用作锂电池的负极)上覆盖碳膜。通过在化学气相沉积CVD过程中旋转反应石英管,可以搅拌粉末样品,从而可以均匀沉积碳膜。

化学气相沉积 CVD

特征

  • 石英管可以通过电机驱动的旋转装置旋转
  • 旋转速度可以在不同的水平上进行调节
  • 均匀的碳膜可以沉积在粉末硅或陶瓷材料上
  • 其他功能将类似于MPCVD-50

MPCVD-Slide 简介

化学气相沉积CVD系统设计为通过配备滑动炉和长反应石英管来实现批量生产。预先在长反应管中放置大量样品,然后炉子沿电动机驱动的石英管连续割草,以使所有样品在相同的化学气相沉积CVD条件下连续受到CVD的作用。

化学气相沉积 CVD

特征

  • 在不依赖于上游流或下游流的情况下,实现均匀的涂层
  • 电机驱动的滑动控制单元和滑动速度可调
  • 易于收集处理过的样品而不会丢失

MPCVD-Graphene 简介

一种炉式热化学气相沉积CVD系统,配备基于快速将炉滑出热区的快速加热/冷却机制,旨在让用户在基底(Ni或Cu箔)以及CNTforests或CNT上生长石墨烯膜粉末。

化学气相沉积 CVD

特征

  • 配有炉子滑动机构,可快速加热/冷却样品
  • 配备一个特殊的热电偶传感器,可直接监控样品温度
  • 配备三个流量气体控制器
  • 紧凑的尺寸,稳定的底盘
  • 也可以合成其他碳纳米材料(碳纳米管,碳微线圈)

MPCVD-Plasma简介

在上游装有RF线圈的热化学气相沉积CVD系统,可有效地使输入气体或前体离子化,并有助于有效的化学气相沉积CVD反应。

化学气相沉积 CVD

MPCVD-Laser 简介

原始样品室充满了特殊的气体(N2,C2H2或H2或NH3等),被应用于商用光纤激光雕刻机,以按照您设计的图案进行特殊的表面处理。

化学气相沉积 CVD
化学气相沉积 CVD
碳氢化合物气体在钛基体上的图案化碳沉积
  • 当C2H2填充到腔室中时,碳膜可以沉积在基板上。
  • 当将NH 3填充到腔室内时,将形成氮化膜。
  • 当H2填充到腔室中时,氧化物可以在表面还原。
  • 当N2填充到腔室中时,可以在激光处理过程中避免氧化。

 样品室的窗口对光纤激光束是透明的。

MPCVD-ZnO 简介

炉型热化学气相沉积CVD系统,用于在基板上形成ZnO纳米棒。

化学气相沉积 CVD

特征

  • 工艺条件和系统设计基于独特的增长机制
  • 垂直排列的ZnO纳米棒可以在蓝宝石或Si衬底上生长
  • 结构紧凑

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